霍永恒 教授

时间:2021-04-12浏览:3111



 
霍永恒
单位:微尺度物质科学国家研究中心
地址:上海市浦东新区秀浦路99号
邮编:201315
电话:021 6812 1125
个人主页: http://www.hfnl.ustc.edu.cn/detail?id=11427
实验室介绍:

 
个人简历Personal resume

霍永恒 教授   电话:021 6812 1125 电邮:yongheng@ustc.edu.cn  

教育与科研经历 

    2002.09-2006.07 学士(电子科学与技术),天津大学精密仪器与光电子工程学院

    2006.09-2011.01 博士(物理电子学),中国科学院半导体研究所 (导师:陈良惠院士、马文全研究员) 

    2011.02-2012.12 博士后,德国莱布尼茨固态和材料研究所 (IFW Dresden,合作导师Prof. Armando Rastelli, Prof. Oliver G Schmidt) 

    2013.01-2015.03 聘期制科学家,分子束外延实验室负责人,IFW Dresden                 

    2015.04-2016.06 高级研究员,奥地利林茨大学半导体和固体物理研究所

    2016.07-至今    中国科学技术大学 教授 

 代表性论文  

    9. Hui Wang, Yu-Ming He, T.-H. Chung, et al, (2019) Towards optimal single-photon sources from polarized microcavities, Nature Photonics volume 13, pages770–775. 

    8. Hui Wang, Hai Hu, T.-H. Chung, et al. (2019) On-Demand Semiconductor Source of Entangled Photons Which Simultaneously Has High Fidelity, Efficiency, and Indistinguishability, Phys. Rev. Lett. 122, 113602. 

    7. D Huber, M Reindl, YH Huo, et al. (2018) Highly indistinguishable and strongly entangled photons from symmetric GaAs quantum dots, Nat. Commun 8, 15506. 

    6. H. Huang, R Trotta, YH Huo*, et al (2017) Electrically-pumped wavelength-tunable GaAs quantum dots interfaced with rubidium atoms. ACS Photonics 4, 868-872. 

    5. YH Huo*, V Křápek, OG Schmidt, A Rastelli (2017) Spontaneous brightening of dark excitons in GaAs/AlGaAs quantum dots near a cleaved facet. Phy. Rev. B 95, 165304. 

    4. YH Huo*, BJ Witek, S Kumar, et al. (2014) A light-hole exciton in a quantum dot. Nature Physics 10, 46-51. 

    3. J Zhang, YH Huo*, A Rastelli, et al. (2014) Single Photons On-Demand from Light-Hole Excitons in Strain-Engineered Quantum Dots. Nano Letters 15, 422-427. 

    2. YH Huo*, V Křápek, A Rastelli, OG Schmidt (2014) Volume dependence of excitonic fine structure splitting in geometrically similar quantum dots. Phys. Rev. B 90, 041304. 

    1. YH Huo*, A Rastelli, OG Schmidt (2013) Ultra-small excitonic fine structure splitting in highly symmetric quantum dotson GaAs (001) substrate. Appl. Phys. Lett. 102, 152105.

 
研究方向Research direction

1、量子信息,固态量子材料与器件
2、单光子源、纠缠光子源、超导量子计算机芯片材料
3、分子束外延,材料与器件物理
 
招生信息Enrollment information

每年招收2名博士研究生(含硕博连读),具有物理、材料、电子、光学、信息等扎实理工科背景。

同时欢迎优秀的本科生到实验室进行实习。我们期望研究生具有勤奋聪明、基础扎实、思维敏捷等品质,同时有较强的动手能力、中英文表达能力。我们认为团队合作、自我驱动和强烈的进取意识是高质量完成学业与科研所必不可少的。